氮化鎵 gallium nitride
結構式
| 物競編號 | 0QMW |
|---|---|
| 分子式 | GaN |
| 分子量 | 83.73 |
| 標簽 | 半導體材料 |
編號系統
CAS號：25617-97-4
MDL號：MFCD00016108
EINECS號：247-129-0
RTECS號：LW9640000
BRN號：暫無
PubChem號：暫無
物性數據
1. 性狀：粉末
2. 密度（g/mL,25/4℃）：6.1
3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
4. 熔點（oC）：800
5. 沸點（oC,常壓）：未確定
6. 沸點（oC,5.2kPa）：未確定
7. 折射率：未確定
8. 閃點（oC）：未確定
9. 比旋光度（o）：未確定
10. 自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
11. 蒸氣壓（kpa,20oC）：未確定
12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定
13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
14. 臨界溫度（oC）：未確定
15. 臨界壓力（KPa）：未確定
16. 油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未確定
19. 溶解性：未確定
毒理學數據
急性毒性：大鼠呼吸系統LDL：250mg/kg；小鼠腹腔LD50： 5mg/kg；小鼠口經LD50：10mg/kg
生態學數據
通常來說對水是不危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環境
分子結構數據
暫無
計算化學數據
1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:1
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積23.8
7.重原子數量:2
8.表面電荷:0
9.復雜度:10
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:1
性質與穩定性
如果遵照規格使用和儲存則不會分解
避免接觸氧化物，熱，水分/潮濕。
GaN在1050℃開始分解：2GaN(s)＝2Ga(g)+N2(g)。X射線衍射已經指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類型的六方晶系。
在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時GaN會慢慢揮發，證明GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時它的蒸氣壓比從焓和熵計算得到的數值低，這是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。
GaN不被冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩定的，但在加熱的情況下能溶于堿中。
貯存方法
保持貯藏器密封
放入緊密的貯藏器內，儲存在陰涼，干燥的地方
合成方法
即使在1000℃氮與鎵也不直接反應。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態金屬，并促使與氮化劑的接觸。
在干燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可制得GaN。用途
可用于高亮度藍色和綠色發光管，光探測器，短波長激光器，微波功率放大器，傳感器，白光光源（日光燈、電燈泡等）。
安全信息
危險運輸編碼：暫無
危險品標志：暫無
危險標識：暫無
文獻
暫無
備注
暫無
表征圖譜
暫無圖譜
快速導航
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