磷化銦 Indium phosphide, polycrystalline lump
結構式
| 物競編號 | 0PYA |
|---|---|
| 分子式 | lnP |
| 分子量 | 145.79 |
| 標簽 | Indium phosphide, Indium(III) Phosphide, Indium monophosphide, 半導體材料 |
編號系統
CAS號：22398-80-7
MDL號：MFCD00016153
EINECS號：244-959-5
RTECS號：NL1800000
BRN號：暫無
PubChem號：24862718
物性數據
1. 性狀：單晶呈銀灰色，質地較軟
2. 密度（g/mL,25/4℃）：未確定
3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
4. 熔點（oC）：1600
5. 沸點（oC,常壓）：未確定
6. 沸點（oC,5.2kPa）： 未確定
7. 折射率： 未確定
8. 閃點（oC）： 未確定
9. 比旋光度（o）： 未確定
10. 自燃點或引燃溫度（oC）： 未確定
11. 蒸氣壓（kPa,25oC）： 未確定
12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）： 未確定
13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
14. 臨界溫度（oC）： 未確定
15. 臨界壓力（KPa）： 未確定
16. 油水（辛醇/水）分配系數的對數值： 未確定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
18. 爆炸下限（%,V/V）： 未確定
19. 溶解性：極微溶于無機酸
毒理學數據
暫無
生態學數據
對水是稍微危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環境
分子結構數據
暫無
計算化學數據
1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:0
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積0
7.重原子數量:2
8.表面電荷:0
9.復雜度:10
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:1
性質與穩定性
1.如果遵照規格使用和儲存則不會分解
避免接觸氧化物，酸。極微溶于無機酸。介電常數：108。電子遷移率：約4600 cm2/V·s。空穴遷移率：約150 cm2/V·s。具有半導體的特性。
2.它有較高的極限速度，所以，ＩｎＰ高頻器件的工作極限頻率比ＧａＡｓ更高，電子擴散速率與電子遷移率之比小于ＧａＡｓ，故更利于制作低噪聲器件。
貯存方法
保持貯藏器密封
放入緊密的貯藏器內，儲存在陰涼，干燥的地方
合成方法
用高壓單晶爐制備磷化銦單晶是最主要的方法，并用摻等電子雜質的方法降低晶體的位錯密度。而氣相外延，多采用In-PCl3-H2系統的歧化法，在該工藝中用銦(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之間的反應來生長磷化銦層。
氣相外延將石英反應管放在雙溫區電爐中，已凈化的高純氫氣經計量通入，氫氣也用來稀釋三氯化磷，此時彭泡器保持在0℃，通過反應管內的氫氣線速度為14 cm/min。外延生長分為誘個階段進行。
在第一階段，將盛有銦的石英舟放在電爐中源區，通入氫氣并加熱到700～850℃，再用氫氣將三氯化磷引入，在銦源上方被還原成磷蒸氣和氯化氫。鎘化氫與銦反應生成一氯化銦蒸氣在管中遷移。磷溶解在銦中直至飽和為止。
在第二階段，銦源保持在原位置不加熱，單晶襯底放在電爐的第二加溫區后，在氫氣氛下加熱到600～750℃。首先用氫氣將三氯化磷引入到管內對襯底進行氣相腐蝕，清洗襯底表面。再將氫氣直接引入反應管，并把源加熱到它的過飽和溫度(在操作中此溫度比襯底晶體的溫度高100℃)。然后通過氫氣鼓泡將三氯化磷引入，這時磷蒸氣與在源區生成的一氯化銦反應，在襯底上淀積生長出磷化銦層。當外延生長完成后，向系統中通入純氫氣，將兩個溫區冷卻到室溫，取出產物，制得磷化銦成品。
2.取化學計量的銦和紅磷封入石英管中，反應溫度在700℃經350～400h，可制得InP,收率為94%～95%。
3.用銦和比化學計算量略多的Zn3P2按合成AlP相同的方法，在700～800℃下加熱1～2日則可制得磷化銦。本法收率低。產物用稀鹽酸處理就可以得到純的InP。
4.由鹵素反應系統制取的方法。在高真空中，加熱650℃以上，使InP升華。欲制得純的InP，要使用過量的In。
用途
用作半導體材料，用于光纖通訊技術，需要1.1～1.6-μm范圍內的光源和接受器。在InP襯底上生長InGaAsP雙異質結激光器既能滿足晶格匹配，又能滿足波長范圍的要求。
安全信息
危險運輸編碼：UN3288
危險品標志：暫無
安全標識：S24/25
危險標識：暫無
文獻
暫無
備注
暫無
表征圖譜
暫無圖譜
快速導航
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