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結構式

物競編號	0LBL
分子式	GaP
分子量	100.69
標簽	半導體材料

編號系統

CAS號：12063-98-8

MDL號：MFCD00016109

EINECS號：235-057-2

RTECS號：LW9675000

BRN號：暫無

PubChem號：24874213

物性數據

1. 性狀：黃色到黃綠色的立方結晶。

2. 密度（g/mL,25℃）：4.13

3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定

4. 熔點（oC）：1465

5. 沸點（oC,常壓）：未確定

6. 沸點（oC，1mmHg）：未確定

7. 折射率：未確定

8. 閃點（oC）：110

9. 比旋光度（o）：未確定

10. 自燃點或引燃溫度（oC）：未確定

11. 蒸氣壓（20oC）：未確定

12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定

13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定

14. 臨界溫度（oC）：未確定

15. 臨界壓力（KPa）：未確定

16. 油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定

17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定

18. 爆炸下限（%,V/V）：未確定

19. 溶解性：難溶于稀、濃鹽酸、硝酸。

毒理學數據

1. 急性毒性：小鼠口服LD50：8gm/kg

主要的刺激性影響：

在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜

在眼睛上面：刺激的影響

致敏作用：沒有已知的敏化現象

生態學數據

通常對水是不危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環境.

分子結構數據

暫無

計算化學數據

1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無

2.氫鍵供體數量:0

3.氫鍵受體數量:0

4.可旋轉化學鍵數量:0

5.互變異構體數量:無

6.拓撲分子極性表面積0

7.重原子數量:2

8.表面電荷:0

9.復雜度:10

10.同位素原子數量:0

11.確定原子立構中心數量:0

12.不確定原子立構中心數量:0

13.確定化學鍵立構中心數量:0

14.不確定化學鍵立構中心數量:0

15.共價鍵單元數量:1

性質與穩定性

常溫常壓下穩定。難溶于稀、濃鹽酸、硝酸。是半導體。防止包裝容器破裂。失火時，可用水、砂土、各種滅火器進行撲救。

本品屬微毒

貯存方法

應貯存在陰涼、通風、干燥、清潔庫房內，容器必須密封

合成方法

目前主要用高壓單晶爐液體密封技術和外延方法制備磷化鎵晶體。

圖XIII-19 用溶質擴散法制造GaP的裝置與溫度分布
液體密封直拉法

采用高壓單晶爐，將多晶磷化鎵加入單晶爐的合金石英坩堝中，再經抽真空、熔化，在充以5.5 Mpa氬氣壓下，用三氧化二硼液封拉晶。因磷化鎵分解壓力很大，在典型生長條件下，有一定量的磷溢出并與三氧化二硼作用，使三氧化二硼透明性變差，并有部分冷凝在觀察孔上妨礙觀察，為此可用X射線掃描及稱量法等來控制晶體直徑，制得磷化鎵單晶成品。
合成溶質擴散法(SSD法)

將鎵放入石英坩堝中，鎵源溫度在1100～1150℃之間，坩堝底部放磷化鎵籽晶處溫度為1000～1050℃，磷源溫度為420℃，這時產生約0.1 Mpa磷蒸氣壓，在1150℃磷化鎵的離解壓為0.67Pa，所以在0.1 Mpa磷蒸氣壓下，磷化鎵可以穩定生長。開始時，磷蒸氣與處在高溫的鎵表面反應生成磷化鎵膜。此磷化鎵溶于下面的鎵液中并向坩堝底部擴散，由于坩堝底部溫度較低，當磷化鎵超過溶解度時，就會析出晶體，如磷源足夠，最后會將鎵液全部變成磷化鎵晶體。
磷化鎵外延生長

用上述方法制備的單晶主要用來作襯底。用液、氣相外延方法能用來制備薄膜單晶。
磷化鎵液相外延方法主要有浸漬法、轉動法和滑動舟法。目前采用較多的是滑動舟法。氣相外延主要有：Ga-PCI3-H2；GaHCl-PH3-H2；GaP-H2O(HCl)-H2系統和MOCVD法(金屬有機熱分解氣相生長法)。
最近采用InP與InP；aAsP多層結構半導體開發了具有光增幅、光演算、光記憶等功能的元件。

2.按圖所示，將鎵和磷在真空中封入管圖用溶質擴散法制造GaP的裝置與溫度分布內，在鎵上形成溫度梯度。鎵的上面溫度TH為1065～1330℃，溫度梯度為7～46K/cm。坩堝底部溫度(TL)低于TH，當磷蒸氣壓為101.325kPa時，加熱數日，則GaP在Ga中擴散，于器底析出，全部為結晶塊。這時，GaP的成長速度1日為0.8～7.0mm。上述是封閉管法，在連續操作系統中，也有類似的制塊方法。

3.用氬氣流向保持在1150～1350℃的鎵上輸送氣態磷，或用氫氣流向保持在1130℃的氮化硼盤或石英盤中的鎵上輸送磷化氫都可以制得GaP。而后面的反應系統(1130℃)，由于可以高精度地除去各種雜質，所以可得到高純度的GaP。

4.用氫氣向保持在1000℃的Ga2O3上輸送磷蒸氣，可制得產率接近100%的GaP。

5.將GaPO4在750～1050℃用氫或一氧化碳還原制取。

用途

用于太陽能電池轉換率高的InGaAsP/InP等半導體中。發光二極管大量用于控制燈、顯示儀表或面發光元件等，發光二極管所用磷化物半導體有GaP、GaAsP等。紅色發光二極管使用GaP或GaAsP等。黃、橙色發光二極管以GaAsP為主體。

安全信息

危險運輸編碼：暫無

危險品標志：刺激

安全標識：S26

危險標識：R36/37

文獻

暫無

備注

暫無

表征圖譜

暫無圖譜

編號系統

物性數據

毒理學數據

生態學數據

分子結構數據

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性質與穩定性

貯存方法

合成方法

用途

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