結(jié)構(gòu)式
| 物競(jìng)編號(hào) | 0LBM |
|---|---|
| 分子式 | GaSb |
| 分子量 | 191.48 |
| 標(biāo)簽 | 半導(dǎo)體材料 |
CAS號(hào):12064-03-8
MDL號(hào):MFCD00016101
EINECS號(hào):235-058-8
RTECS號(hào):暫無(wú)
BRN號(hào):暫無(wú)
PubChem號(hào):24883831
1. 性狀:類似鍺的化合物型半導(dǎo)體,灰白色,立方晶系閃鋅礦型結(jié)晶。
2. 密度(g/mL,25℃):5.61
3. 相對(duì)蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定
4. 熔點(diǎn)(oC):706
5. 沸點(diǎn)(oC,常壓):未確定
6. 沸點(diǎn)(oC,1mmHg):未確定
7. 折射率:未確定
8. 閃點(diǎn)(oC):未確定
9. 比旋光度(o):未確定
10. 自燃點(diǎn)或引燃溫度(oC):未確定
11. 蒸氣壓(20oC):未確定
12. 飽和蒸氣壓(kPa,60oC):未確定
13. 燃燒熱(KJ/mol):未確定
14. 臨界溫度(oC):未確定
15. 臨界壓力(KPa):未確定
16. 油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對(duì)數(shù)值:未確定
17. 爆炸上限(%,V/V):未確定
18. 爆炸下限(%,V/V):未確定
19. 溶解性:不溶于水
主要的刺激性影響:
在皮膚上面:刺激皮膚和粘膜
在眼睛上面:刺激的影響
致敏作用:沒(méi)有已知的敏化現(xiàn)象
通常對(duì)水體是極其有害的,即使小量產(chǎn)品也不能接觸地下水,水道或污水系統(tǒng)
暫無(wú)
1.疏水參數(shù)計(jì)算參考值(XlogP):無(wú)
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:0
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無(wú)
6.拓?fù)浞肿訕O性表面積0
7.重原子數(shù)量:2
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:10
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價(jià)鍵單元數(shù)量:1
常溫常壓下穩(wěn)定
避免的物料 氧化物 酸 堿
銻化鎵單晶的重要特征是無(wú)論用什么方法制備,室溫下最高純度的銻化鎵單晶總是P型,其機(jī)理尚不完全清楚,一種主要觀點(diǎn)認(rèn)為是由過(guò)剩Sb空位造成的。它的價(jià)帶自旋軌道的分裂可以得到空穴離化系數(shù)增大的能級(jí),可改善長(zhǎng)波長(zhǎng)雪崩光電探測(cè)器(APD)的信噪比。由于GaSb單晶的臨界屈服應(yīng)力較大(15.8N/mm2),故其位錯(cuò)密度不高(不超過(guò)103數(shù)量級(jí)),適于制作GaInSb/GaAlAsSb激光器、GaInAsSb探測(cè)器和GaAs/GaSb疊層太陽(yáng)電池(轉(zhuǎn)換效率超過(guò)30%)。
常溫密閉,陰涼通風(fēng)干燥
把20g鎵、34.94g銻放進(jìn)石墨盤中,裝入石英管內(nèi),并用氫氣流充分置換掉空氣之后,然后在氫氣流中加熱石英管至720~730℃使其化合。
為了制得GaSb單晶,可以從石英管中慢慢取出,使熔融狀態(tài)的GaSb從盤的一端開(kāi)始固化形成結(jié)晶。如欲制成半導(dǎo)體用GaSb時(shí),所用原料盤及石英管均應(yīng)是高純度的制品,必要時(shí)可進(jìn)行區(qū)域熔融提純。
用于制造激光器,探測(cè)器,高頻器件,太陽(yáng)電池。
危險(xiǎn)運(yùn)輸編碼:UN 1549 6.1/PG 3
危險(xiǎn)品標(biāo)志:
有害
危害環(huán)境
安全標(biāo)識(shí):S61
危險(xiǎn)標(biāo)識(shí):R20/22 R51/53
暫無(wú)
暫無(wú)
共收錄化學(xué)品數(shù)據(jù)
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