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    物競(jìng)編號(hào) 0LBM
    分子式 GaSb
    分子量 191.48
    標(biāo)簽 半導(dǎo)體材料

    編號(hào)系統(tǒng)

    CAS號(hào):12064-03-8

    MDL號(hào):MFCD00016101

    EINECS號(hào):235-058-8

    RTECS號(hào):暫無(wú)

    BRN號(hào):暫無(wú)

    PubChem號(hào):24883831

    物性數(shù)據(jù)

    1.       性狀:類似鍺的化合物型半導(dǎo)體,灰白色,立方晶系閃鋅礦型結(jié)晶。

    2.       密度(g/mL,25℃):5.61

    3.       相對(duì)蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定

    4.       熔點(diǎn)(oC):706

    5.       沸點(diǎn)(oC,常壓):未確定

    6.       沸點(diǎn)(oC,1mmHg):未確定

    7.       折射率:未確定

    8.       閃點(diǎn)(oC):未確定

    9.       比旋光度(o):未確定

    10.    自燃點(diǎn)或引燃溫度(oC):未確定

    11.    蒸氣壓(20oC):未確定

    12.    飽和蒸氣壓(kPa,60oC):未確定

    13.    燃燒熱(KJ/mol):未確定

    14.    臨界溫度(oC):未確定

    15.    臨界壓力(KPa):未確定

    16.    油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對(duì)數(shù)值:未確定

    17.    爆炸上限(%,V/V):未確定

    18.    爆炸下限(%,V/V):未確定

    19.    溶解性:不溶于水

    毒理學(xué)數(shù)據(jù)

    主要的刺激性影響:

    在皮膚上面:刺激皮膚和粘膜

    在眼睛上面:刺激的影響

    致敏作用:沒(méi)有已知的敏化現(xiàn)象

    生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)

    通常對(duì)水體是極其有害的,即使小量產(chǎn)品也不能接觸地下水,水道或污水系統(tǒng)

    分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)

    暫無(wú)

    計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)

    1.疏水參數(shù)計(jì)算參考值(XlogP):無(wú)

    2.氫鍵供體數(shù)量:0

    3.氫鍵受體數(shù)量:0

    4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0

    5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無(wú)

    6.拓?fù)浞肿訕O性表面積0

    7.重原子數(shù)量:2

    8.表面電荷:0

    9.復(fù)雜度:10

    10.同位素原子數(shù)量:0

    11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0

    12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0

    13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0

    14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0

    15.共價(jià)鍵單元數(shù)量:1

    性質(zhì)與穩(wěn)定性

    常溫常壓下穩(wěn)定

    避免的物料 氧化物 酸 堿

    銻化鎵單晶的重要特征是無(wú)論用什么方法制備,室溫下最高純度的銻化鎵單晶總是P型,其機(jī)理尚不完全清楚,一種主要觀點(diǎn)認(rèn)為是由過(guò)剩Sb空位造成的。它的價(jià)帶自旋軌道的分裂可以得到空穴離化系數(shù)增大的能級(jí),可改善長(zhǎng)波長(zhǎng)雪崩光電探測(cè)器(APD)的信噪比。由于GaSb單晶的臨界屈服應(yīng)力較大(15.8N/mm2),故其位錯(cuò)密度不高(不超過(guò)103數(shù)量級(jí)),適于制作GaInSb/GaAlAsSb激光器、GaInAsSb探測(cè)器和GaAs/GaSb疊層太陽(yáng)電池(轉(zhuǎn)換效率超過(guò)30%)。

    貯存方法

    常溫密閉,陰涼通風(fēng)干燥

    合成方法

    把20g鎵、34.94g銻放進(jìn)石墨盤中,裝入石英管內(nèi),并用氫氣流充分置換掉空氣之后,然后在氫氣流中加熱石英管至720~730℃使其化合。

    為了制得GaSb單晶,可以從石英管中慢慢取出,使熔融狀態(tài)的GaSb從盤的一端開(kāi)始固化形成結(jié)晶。如欲制成半導(dǎo)體用GaSb時(shí),所用原料盤及石英管均應(yīng)是高純度的制品,必要時(shí)可進(jìn)行區(qū)域熔融提純。

    用途

    用于制造激光器,探測(cè)器,高頻器件,太陽(yáng)電池。

    安全信息

    危險(xiǎn)運(yùn)輸編碼:UN 1549 6.1/PG 3

    危險(xiǎn)品標(biāo)志:有害 危害環(huán)境

    安全標(biāo)識(shí):S61

    危險(xiǎn)標(biāo)識(shí):R20/22 R51/53

    文獻(xiàn)

    暫無(wú)

    備注

    暫無(wú)

    表征圖譜

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