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    物競編號 0017
    分子式 Ge
    分子量 72.61
    標簽 金屬鍺, 純元素, 半導體材料

    編號系統

    CAS號:7440-56-4

    MDL號:MFCD00085310

    EINECS號:231-164-3

    RTECS號:LY5200000

    BRN號:暫無

    PubChem號:24855958

    物性數據

    1.      性狀:銀白色有光澤金屬,質脆,晶體鍺具有金剛石結構。

    2.      密度(g/mL,20℃):5.35

    3.      相對蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定

    4.      熔點(oC):937.4

    5.      沸點(oC,常壓):2830

    6.      沸點(oC,5.2kPa):未確定

    7.      折射率:未確定

    8.      閃點(oC):未確定 

    9.      比旋光度(o):未確定

    10.   自燃點或引燃溫度(oC):未確定

    11.   蒸氣壓(mmHg, oC):未確定

    12.   飽和蒸氣壓(kPa,2080oC):13.3

    13.   燃燒熱(KJ/mol):未確定

    14.   臨界溫度(oC):未確定

    15.   臨界壓力(KPa):未確定

    16.   油水(辛醇/水)分配系數的對數值:未確定

    17.   爆炸上限(%,V/V):未確定

    18.   爆炸下限(%,V/V):未確定

    19.   溶解性:不溶于水和鹽酸及稀硫酸。能溶于濃硝酸、濃硫酸或王水。不溶于稀苛性堿溶液;可溶于熔融的苛性堿、硝酸鹽或碳酸鹽,生成鍺酸鹽。

    毒理學數據

    1、急性毒性:人經經口TDLo:58mg/kg/26W-I;小孩經口TDLo:2mg/kg/78W-I;男人經口TDLo:786mg/kg/2Y-I;大鼠吸入 LCLo:3860mg/m3/4H
    2、其它多劑量毒性:大鼠吸入TCLo:250mg/m3/6H/4W-I
    能刺激皮膚、黏膜和眼睛,空氣中最大容許濃度(以Ge計)為1mg/m3。

    生態學數據

    通常對水無危害。

    分子結構數據

     

    計算化學數據

    1.疏水參數計算參考值(XlogP):無

    2.氫鍵供體數量:0

    3.氫鍵受體數量:0

    4.可旋轉化學鍵數量:0

    5.互變異構體數量:無

    6.拓撲分子極性表面積0

    7.重原子數量:1

    8.表面電荷:0

    9.復雜度:0

    10.同位素原子數量:0

    11.確定原子立構中心數量:0

    12.不確定原子立構中心數量:0

    13.確定化學鍵立構中心數量:0

    14.不確定化學鍵立構中心數量:0

    15.共價鍵單元數量:1

    性質與穩定性

    生產人員應穿工作服,戴口罩和乳膠手套等勞保用品。

    在空氣中不被氧化。其細粉可在氯或溴中燃燒。鍺化學性質穩定,常溫下不與空氣或水蒸氣作用。由于鍺與碳不起作用,通常使其在石墨坩堝中熔化。具有良好的半導體性質。不溶于水,可溶于濃硫酸、硝酸、王水中。用作半導體材料。

    大鼠吸入LCLo3860mg/(m3·4h)。能刺激皮膚、黏膜和眼睛,空氣中最大容許濃度(以Ge計)為1mg/m3。生產人員應穿工作服,戴口罩和乳膠手套等勞保用品。

    貯存方法

    應貯存在陰涼、通風、干燥、清潔、無化學藥品腐蝕氣氛的庫房內。防潮。不可與酸、堿類產品共貯混運。在運輸過程中要防雨淋、防震。裝卸時要小心輕放,防止碰撞和滾動,防止機械損傷。

    合成方法

    1.工業生產有坩堝直拉法和懸浮區熔法。坩堝直拉法 拉晶前先將設備各部件、合金石英坩堝、高純鍺和籽晶進行清潔處理。將高純鍺經配料和摻雜,加入單晶爐的合金石英坩堝中,再經抽真空、熔化,在流通的氬氣氣氛下,人工引晶放肩和收尾。晶體的等徑生長過程中,需根據情況適當調節功率,使其獲得直徑均勻的產品。經檢測、稱量,制得鍺單晶成品。

    可由二氧化鍺用碳還原,再經冶煉制得。

    2.將二氧化鍺粉末裝滿石英盤,放于石英制反應管中。將反應管放入長度為石英盤的2~2.5倍的管式電爐的中心部位進行加熱,送入精制氫氣,升溫至600℃±5℃。對100g的GeO2以2~2.5mL/min的速度通入氫氣,經3~4h即可還原完畢。再升溫至1000℃±10℃,經約30min,使細粉狀的Ge熔融,然后將電爐以6mm/min的速度向氫出口方向移動。在石英盤內,鍺從一端開始凝固,由于分凝離析效應,雜質在另一端被濃縮。
    3.工業生產采有坩堝直接法和懸浮區熔法。

    用途

    1.高純度的鍺是半導體材料,制造半導體器件用。摻有微量特定雜質的鍺單晶,可用于制各種晶體管、整流器及其他器件。高純鍺單晶具有高的折射系數,對紅外線透明,不透過可見光和紅外線,可作專透紅外光的棱鏡或透鏡。鍺化合物用于制造熒光板及各種高折光率的玻璃。還用于輻射探測器及熱電材料。

    2.制造半導體器件用。

    安全信息

    危險運輸編碼:暫無

    危險品標志:暫無

    安全標識:暫無

    危險標識:暫無

    文獻

    暫無

    備注

    暫無

    表征圖譜

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