金剛石 Diamond
結(jié)構(gòu)式
| 物競編號 | 1747 |
|---|---|
| 分子式 | C |
| 分子量 | 12.01 |
| 標簽 | 半導(dǎo)體材料 |
編號系統(tǒng)
CAS號：7782-40-3
MDL號：MFCD00211867
EINECS號：231-953-2
RTECS號：HL4158550
BRN號：暫無
PubChem號：暫無
物性數(shù)據(jù)
1. 性狀：粉末
2. 密度（g/mL at 25°C）：3.5
3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
4. 熔點（oC）：未確定
5. 沸點（oC,常壓）：未確定
6. 沸點（oC,0.1mmHg）：未確定
7. 折射率（n20/D）：未確定
8. 閃點（oC）：未確定
9. 比旋光度（o）：未確定
10. 自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
11. 蒸氣壓（mmHg,20oC）：未確定
12. 飽和蒸氣壓（kPa,-164oC）：未確定
13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
14. 臨界溫度（oC）：未確定
15. 臨界壓力（MPa）：未確定
16. 油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：未確定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未確定
19. 溶解性：未確定
毒理學(xué)數(shù)據(jù)
暫無
生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)
暫無
分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)
暫無
計算化學(xué)數(shù)據(jù)
1、 疏水參數(shù)計算參考值（XlogP）：-1.1
2、 氫鍵供體數(shù)量：0
3、 氫鍵受體數(shù)量：2
4、 可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：0
5、 互變異構(gòu)體數(shù)量：
6、 拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.1
7、 重原子數(shù)量：2
8、 表面電荷：0
9、 復(fù)雜度：0
10、 同位素原子數(shù)量：0
11、 確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：0
12、 不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：0
13、 確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：0
14、 不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：0
15、 共價鍵單元數(shù)量：1
性質(zhì)與穩(wěn)定性
金剛石晶體膜是一種人工合成的新型功能材料，它由金剛石微晶體構(gòu)成，具有高硬度、低摩擦、高熱導(dǎo)率（為銅的５倍）、低膨脹系數(shù)、良好抗熱沖擊性能、良好抗腐蝕性、極高電絕緣強度、寬波段高透過率和高電子折射率等多項復(fù)合性能。
本品無毒。
貯存方法
產(chǎn)品應(yīng)貯存放在陰涼、通風、干燥、清潔、無化學(xué)藥品腐蝕氣氛的庫房內(nèi)。
合成方法
制備金剛石薄膜常用的方法是氣相沉積法，該方法可分以下３種類型。
（１）熱化學(xué)氣相沉積（ＴＣＶＤ）法 在高溫下使含碳氣相組分發(fā)生熱分解即形成金剛石薄膜。這一方法在早期的制備過程中是比較成功的方法，目前采用很多的熱絲法（ＥＦＣＶＤ）以及對于沉積速率有著獨特優(yōu)越性的熱化學(xué)焰法均屬于此類。
（２）物理化學(xué)氣相沉積法 用物理化學(xué)方法促進ＣＶＤ過程，例如等離子增強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ或ＰＡＣＶＤ）、微波等離子體ＣＶＤ（ＭＷＣＶＤ）、射頻等離子體ＣＶＤ（ＲＦＰＥＣＶＤ）和直流等離子體ＣＶＤ（ＤＣＰＥＣＶＤ）及電子增強ＣＶＤ（ＥＡＣＶＤ）等。
（３）物理氣相沉積法 即用物理方法（蒸發(fā)、濺射、離子束等）直接從碳源獲取碳原子或碳離子，將含碳氣體轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)活性碳原子，定向沉積在物體表面并沉積生成一層致密、均勻、光滑的碳碳原子鍵結(jié)構(gòu)的固態(tài)晶體膜。這類工藝的關(guān)鍵技術(shù)是利用高能離子在基材表面的微區(qū)內(nèi)形成７５０００℃和壓強１２×１０９Ｐａ的熱尖峰，其持續(xù)時間為１０－２１ｓ，從而促進金剛石膜的形成。沉積工藝需在高能態(tài)、高真空條件下，嚴格控制電磁場能量，精確掌握含碳化合物的原材料配比和濃度，以及反應(yīng)沉積速率。
用途
用于金屬、塑料、玻璃等材料表面生成金剛石膜。如半導(dǎo)體及半導(dǎo)體器件熱沉電阻、電絕緣層。
安全信息
危險運輸編碼：暫無
危險品標志：暫無
安全標識：暫無
危險標識：暫無
文獻
暫無
備注
暫無
表征圖譜
暫無圖譜
統(tǒng)計數(shù)據(jù)
共收錄化學(xué)品數(shù)據(jù)
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