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結(jié)構(gòu)式

物競(jìng)編號(hào)	00B7
分子式	CdHgTe2
分子量	568.201
標(biāo)簽	半導(dǎo)體材料

編號(hào)系統(tǒng)

CAS號(hào)：29870-72-2

MDL號(hào)：暫無(wú)

EINECS號(hào)：249-914-3

RTECS號(hào)：暫無(wú)

BRN號(hào)：暫無(wú)

PubChem號(hào)：暫無(wú)

物性數(shù)據(jù)

暫無(wú)

毒理學(xué)數(shù)據(jù)

暫無(wú)

生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)

暫無(wú)

分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)

暫無(wú)

計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)

暫無(wú)

性質(zhì)與穩(wěn)定性

Hg1－xCdxTe晶體是HgTe-CdTe贗二元系化合物半導(dǎo)體合金材料，是一種直接躍遷型半導(dǎo)體，具有本征載流子濃度低、電子遷移率高、電子與空穴遷移率比大、光吸收系數(shù)大、熱激發(fā)速率小、電子有效質(zhì)量小、熱膨脹系數(shù)與硅接近等特點(diǎn)。其導(dǎo)電類型可由本身組分的偏離來(lái)調(diào)節(jié)，也可用摻雜的辦法來(lái)控制。其禁帶寬度犈ｇ是組分狓和溫度犜的函數(shù)，通過(guò)調(diào)節(jié)狓和犜可使?fàn)舋從半金屬HgTe(Eg＝－0.3eV）至半導(dǎo)體CdTe（Eg＝1.648eV）之間連續(xù)變化，從而使其覆蓋波長(zhǎng)為1～25μｍ的整個(gè)紅外區(qū)域。Hg1－xCdxTe的靜電介電常數(shù)為14～17，高頻介電常數(shù)為10～12.5，且隨組分不同而有所差異。

貯存方法

產(chǎn)品應(yīng)貯存在陰涼、通風(fēng)、干燥、清潔、無(wú)化學(xué)藥品腐蝕氣氛的庫(kù)房?jī)?nèi)。

合成方法

Hg1－xCdxTe塊狀晶體可用改進(jìn)的布里奇曼法、固體再結(jié)晶法、碲溶劑法或移動(dòng)加熱法制備，也可用LPE、MBE與MOCVD等外延工藝制備Hg1－xCdxTe薄膜晶體材料。

用途

用于制作各種波段的單元、多元、十字型、線列、面陣雙色和多譜等光導(dǎo)型和光伏型探測(cè)器，在軍事偵察、制導(dǎo)、預(yù)警、飛機(jī)和坦克、艦艇上的前視儀和氣象、資源、天文等衛(wèi)星上，以及光纖通訊中都有廣泛的應(yīng)用。

安全信息

危險(xiǎn)運(yùn)輸編碼：暫無(wú)

危險(xiǎn)品標(biāo)志：暫無(wú)

安全標(biāo)識(shí)：暫無(wú)

危險(xiǎn)標(biāo)識(shí)：暫無(wú)

文獻(xiàn)

None

備注

None

表征圖譜

暫無(wú)圖譜

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物性數(shù)據(jù)

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貯存方法

合成方法

用途

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碲鎘汞晶體 Mercury cadmium telluride(MCT)crystal

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