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    物競編號 0934
    分子式 GaAs
    分子量 144.64
    標簽 半導(dǎo)體材料

    編號系統(tǒng)

    CAS號:1303-00-0

    MDL號:MFCD00011017

    EINECS號:215-114-8

    RTECS號:LW8800000

    BRN號:暫無

    PubChem號:24859765

    物性數(shù)據(jù)

    1.       性狀:立方晶系閃鋅礦型結(jié)晶。無氣味。

    2.       密度(g/mL,25℃):6.307

    3.       相對蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定

    4.       熔點(oC):1238

    5.       沸點(oC,常壓):未確定

    6.       沸點(oC,0.05mmHg):未確定

    7.       折射率(n20/D):未確定

    8.       閃點(oC):未確定

    9.       比旋光度(o):未確定

    10.    自燃點或引燃溫度(oC):未確定

    11.    蒸氣壓(mmHg,20oC):未確定

    12.    飽和蒸氣壓(kPa,60oC):未確定

    13.    燃燒熱(KJ/mol):未確定

    14.    臨界溫度(oC):未確定

    15.    臨界壓力(KPa):未確定

    16.    油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對數(shù)值:未確定

    17.    爆炸上限(%,V/V):未確定

    18.    爆炸下限(%,V/V):未確定

    19.    溶解性:與水反應(yīng)

    毒理學(xué)數(shù)據(jù)

    1、急性毒性:大鼠引入腹膜LD50:10gm/kg:動作失調(diào)
                 小鼠引入腹膜LD50:4700mg/kg

    生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)

    對水是極其危害的,即使是少量產(chǎn)品滲入地下也會對飲用水造成危害,若無政府許可勿將產(chǎn)品排入周圍環(huán)境。對水中有機物有危害

    分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)

    1、摩爾折射率:無可用的

    2、摩爾體積(cm3/mol):無可用的

    3、等張比容(90.2K):無可用的

    4、表面張力(dyne/cm):無可用的

    5、介電常數(shù):無可用的

    6、極化率(10-24cm3):無可用的

    7、單一同位素質(zhì)量:143.847178 Da

    8、標稱質(zhì)量:144 Da

    9、平均質(zhì)量:144.6446 Da

    計算化學(xué)數(shù)據(jù)

    1.疏水參數(shù)計算參考值(XlogP):無

    2.氫鍵供體數(shù)量:0

    3.氫鍵受體數(shù)量:0

    4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0

    5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無

    6.拓撲分子極性表面積0

    7.重原子數(shù)量:2

    8.表面電荷:0

    9.復(fù)雜度:10

    10.同位素原子數(shù)量:0

    11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0

    12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0

    13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0

    14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0

    15.共價鍵單元數(shù)量:1

    性質(zhì)與穩(wěn)定性

    如果遵照規(guī)格使用和儲存則不會分解,未有已知危險反應(yīng),避免酸、水分/潮濕.

    為一種化合物型半導(dǎo)體,電流通過p-n結(jié),直接發(fā)光,可制成激光或發(fā)光二極管。此外,本品還可用作功能元件,用于微波振蕩、毫米波放大、光通訊等方面。

    貯存方法

    保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方,確保工作間有良好的通風(fēng)或排氣裝置

    合成方法

    圖XIII-20   砷化鎵的制備裝置

    砷化鎵的制備裝置如圖所示,先往一端封閉的透明石英安瓿中送入裝有純鎵的石英盤,然后加入純砷,在5×10-6Torr(1Torr=133322Pa)下,真空封口。砷的加入量為其當量的1.1~1.2倍(因為砷是利用蒸氣壓控制的,所以加入量必須比充滿整個安瓿還要多一些)。為防止砷化鎵及盤受潮濕,必須向盤里面噴砂大約150~300次。將上述安瓿按圖所示裝好,裝有砷的A爐加熱到610℃,裝有鎵的B爐加熱到1250℃(根據(jù)安瓿的大小,可按砷摩爾量的1.1~1.2倍加入之)。

    加熱到610℃的砷的蒸氣壓為101.325kPa,與加熱到1250℃的鎵進行反應(yīng),產(chǎn)生砷化鎵。經(jīng)過4~5h后,將安瓿每1h往A爐拉出5~20mm,則從盤的前端逐漸生長出單晶。

    用途

    用于制造光電器件(LCD),激光器(LD),場效應(yīng)晶體管(FET),高電子遷移率晶體管(HEMT),異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT),高速器件和微波單片集成電路(MMIC),微波/毫米波集成電路(MIMIC),高速集成電路,太陽電池。

    安全信息

    危險運輸編碼:UN 1557 6.1/PG 2

    危險品標志:有毒 危害環(huán)境

    安全標識:S28 S45 S60 S61

    危險標識:R23/25 R50/53

    文獻

    暫無

    備注

    暫無

    表征圖譜

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